GSIクレオス産業機材部は半導体関連商品をはじめ、様々な部材、装置を扱っております。
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SiC, GaNウエハ加工

novasic社(仏) SiCウエハ
ポリッシュ・エピ・再生・平坦化・薄化
・1995年フランスにて設立、ISO9001保有
・高い技術力、ポリッシング16年の経験と実績
・SiCウエハを中心に、各種サービスを欧米で展開
ポリッシュ(エピ下地) / エピタキシャル(SiC) / 薄化
再生(薄膜除去、再利用) / 平坦化(パターンニング後)
・お客様のウエハを預かり、加工後お返しするサービス
又は直接novasic社からポリッシュ後のSiCエピウエハの
提供も可能
・novasic社HPはこちら

<ポリッシング比較 TEM測定断面図>
一般ポリッシング novasic stepSiCポリッシング


<ポリッシング比較AFM(tapping mode) 5*5um2表面測定>
一般的ポリッシング novasic stepSiCポリッシング


<ポリッシング後のRMS>

measured by AFM, field size 5µm x 5µm in tapping mode
SiCデバイスを作りこむ際、novasic独自の
CMP技術によってエピ前後の表面欠陥を低減します。
ポリッシング2”~6”、エピ2”~4” (6"は2015年以降対応予定)
ご質問などございましたら何なりとお問い合わせください。
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